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DMN2019UTS-13

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产品型号
DMN2019UTS-13
制造商
Diodes Incorporated
描述
MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
DMN2019UTS-13.pdf
总计:$0.17329
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产品型号
DMN2019UTS-13
制造商
Diodes Incorporated
描述
MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8
零件状态
Active
FET型
2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET特点
Logic Level Gate
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
5.4A
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
18.5 mOhm @ 7A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
950mV @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
8.8nC @ 4.5V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
143pF @ 10V
功率 - 最大
780mW
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
供应商设备封装
8-TSSOP

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