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BSB053N03LP G

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产品型号
BSB053N03LP G
制造商
Infineon Technologies
描述
MOSFET N-CH 30V 71A 2WDSON
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
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产品型号
BSB053N03LP G
制造商
Infineon Technologies
描述
MOSFET N-CH 30V 71A 2WDSON
零件状态
Obsolete
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
17A (Ta), 71A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
4.5V, 10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
5.3 mOhm @ 30A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
2.2V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
29nC @ 10V
VGS(最大)
±20V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
2700pF @ 15V
FET特点
-
功率耗散(最大)
2.3W (Ta), 42W (Tc)
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
MG-WDSON-2, CanPAK M™
封装/箱体
3-WDSON

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