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TPC8014(TE12L,Q,M)

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产品型号
TPC8014(TE12L,Q,M)
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
描述
MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
TPC8014(TE12L,Q,M).pdf
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产品型号
TPC8014(TE12L,Q,M)
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
描述
MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B
零件状态
Obsolete
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
11A (Ta)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
4.5V, 10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
14 mOhm @ 5.5A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
2.5V @ 1mA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
39nC @ 10V
VGS(最大)
±20V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
1860pF @ 10V
FET特点
-
功率耗散(最大)
1W (Ta)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
8-SOP (5.5x6.0)
封装/箱体
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

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