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SSM6L36FE,LM

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产品型号
SSM6L36FE,LM
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
描述
MOSFET N/P-CH 20V 0.5A/0.33A ES6
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
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产品型号
SSM6L36FE,LM
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
描述
MOSFET N/P-CH 20V 0.5A/0.33A ES6
零件状态
Active
FET型
N and P-Channel
FET特点
Logic Level Gate
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
500mA, 330mA
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
630 mOhm @ 200mA, 5V
VGS(TH)(最大)标识
1V @ 1mA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
1.23nC @ 4V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
46pF @ 10V
功率 - 最大
150mW
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
SOT-563, SOT-666
供应商设备封装
ES6 (1.6x1.6)

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