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PMV32UP/MIR

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产品型号
PMV32UP/MIR
制造商
Nexperia
描述
SMALL SIGNAL MOSFET
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
PMV32UP/MIR.pdf
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产品型号
PMV32UP/MIR
制造商
Nexperia
描述
SMALL SIGNAL MOSFET
零件状态
Obsolete
FET型
P-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
4A (Ta)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
1.8V, 4.5V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
36 mOhm @ 2.4A, 4.5V
VGS(TH)(最大)标识
950mV @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
15.5nC @ 4.5V
VGS(最大)
±8V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
1890pF @ 10V
FET特点
-
功率耗散(最大)
510mW (Ta), 4.15W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
TO-236AB
封装/箱体
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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