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NTJD2152PT1G

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产品型号
NTJD2152PT1G
制造商
ON Semiconductor
描述
MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SOT-363
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
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产品型号
NTJD2152PT1G
制造商
ON Semiconductor
描述
MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SOT-363
零件状态
Obsolete
FET型
2 P-Channel (Dual)
FET特点
Logic Level Gate
漏极至源极电压(Vdss)
8V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
775mA
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
300 mOhm @ 570mA, 4.5V
VGS(TH)(最大)标识
1V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
4nC @ 4.5V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
225pF @ 8V
功率 - 最大
270mW
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供应商设备封装
SC-88/SC70-6/SOT-363

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