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PMWD26UN,518

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产品型号
PMWD26UN,518
制造商
NXP Semiconductors
描述
MOSFET 2N-CH 20V 7.8A 8TSSOP
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
PMWD26UN,518.pdf
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产品型号
PMWD26UN,518
制造商
NXP Semiconductors
描述
MOSFET 2N-CH 20V 7.8A 8TSSOP
零件状态
Obsolete
FET型
2 N-Channel (Dual)
FET特点
Logic Level Gate
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
7.8A
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
30 mOhm @ 3.5A, 4.5V
VGS(TH)(最大)标识
700mV @ 1mA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
23.6nC @ 4.5V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
1366pF @ 16V
功率 - 最大
3.1W
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
供应商设备封装
8-TSSOP

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