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DF23MR12W1M1B11BOMA1

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产品型号
DF23MR12W1M1B11BOMA1
制造商
Infineon Technologies
描述
MOSFET MODULE 1200V 25A
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
DF23MR12W1M1B11BOMA1.pdf
总计:$93.67500
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$93.67500

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产品型号
DF23MR12W1M1B11BOMA1
制造商
Infineon Technologies
描述
MOSFET MODULE 1200V 25A
零件状态
Obsolete
FET型
2 N-Channel (Dual)
FET特点
Silicon Carbide (SiC)
漏极至源极电压(Vdss)
1200V (1.2kV)
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
25A
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
45 mOhm @ 25A, 15V
VGS(TH)(最大)标识
5.5V @ 10mA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
620nC @ 15V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
2000pF @ 800V
功率 - 最大
20mW
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Chassis Mount
封装/箱体
Module
供应商设备封装
Module

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