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IXTH1N170DHV

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产品型号
IXTH1N170DHV
制造商
IXYS Corporation
描述
MOSFET N-CH
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
IXTH1N170DHV.pdf
总计:$9.39800
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$9.39800

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产品型号
IXTH1N170DHV
制造商
IXYS Corporation
描述
MOSFET N-CH
零件状态
Active
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
1700V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
1A (Tj)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
0V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
16 Ohm @ 500mA, 0V
VGS(TH)(最大)标识
4.5V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
47nC @ 5V
VGS(最大)
±20V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
3090pF @ 25V
FET特点
Depletion Mode
功率耗散(最大)
290W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备封装
TO-247HV
封装/箱体
TO-247-3 Variant

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