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SI1029X-T1-GE3

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产品型号
SI1029X-T1-GE3
制造商
Vishay
描述
MOSFET N/P-CH 60V SC89-6
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
SI1029X-T1-GE3.pdf
总计:$0.19855
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$0.19855

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产品型号
SI1029X-T1-GE3
制造商
Vishay
描述
MOSFET N/P-CH 60V SC89-6
零件状态
Active
FET型
N and P-Channel
FET特点
Logic Level Gate
漏极至源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
305mA, 190mA
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
1.4 Ohm @ 500mA, 10V
VGS(TH)(最大)标识
2.5V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
0.75nC @ 4.5V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
30pF @ 25V
功率 - 最大
250mW
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
SOT-563, SOT-666
供应商设备封装
SC-89-6

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