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STQ1HN60K3-AP

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产品型号
STQ1HN60K3-AP
制造商
STMicroelectronics
描述
MOSFET N-CH 600V 0.4A TO-92
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
STQ1HN60K3-AP.pdf
总计:$0.35343
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产品型号
STQ1HN60K3-AP
制造商
STMicroelectronics
描述
MOSFET N-CH 600V 0.4A TO-92
零件状态
Active
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
600V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
400mA (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
8 Ohm @ 600mA, 10V
VGS(TH)(最大)标识
4.5V @ 50µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
9.5nC @ 10V
VGS(最大)
±30V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
140pF @ 50V
FET特点
-
功率耗散(最大)
3W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备封装
TO-92-3
封装/箱体
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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