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IPN80R3K3P7ATMA1

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产品型号
IPN80R3K3P7ATMA1
制造商
Infineon Technologies
描述
COOLMOS P7 800V SOT-223
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
IPN80R3K3P7ATMA1.pdf
总计:$0.32309
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$0.32309

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产品型号
IPN80R3K3P7ATMA1
制造商
Infineon Technologies
描述
COOLMOS P7 800V SOT-223
零件状态
Active
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
800V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
1.9A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
3.3 Ohm @ 590mA, 10V
VGS(TH)(最大)标识
3.5V @ 30µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
5.8nC @ 10V
VGS(最大)
±20V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
120pF @ 500V
FET特点
-
功率耗散(最大)
6.1W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
PG-SOT223
封装/箱体
TO-261-3

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