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MSRT20060(A)D

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产品型号
MSRT20060(A)D
制造商
GeneSiC Semiconductor
描述
DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
MSRT20060(A)D.pdf
总计:$78.26560
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$78.26560

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产品型号
MSRT20060(A)D
制造商
GeneSiC Semiconductor
描述
DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER
零件状态
Active
二极管配置
1 Pair Series Connection
二极管类型
Standard
电压 - (Vr)(最大)
600V
电流 - 平均整流(Io)(每个二极管)
200A
电压 - 正向(Vf)(最大)@如果
1.1V @ 200A
速度
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢复时间(trr)
-
电流 - Vr时反向漏电
10µA @ 600V
工作温度 - 结
-55°C ~ 150°C
安装类型
Chassis Mount
封装/箱体
Three Tower
供应商设备封装
Three Tower

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