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GT10J312(Q)

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产品型号
GT10J312(Q)
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
描述
IGBT 600V 10A 60W TO220SM
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
GT10J312(Q).pdf
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产品型号
GT10J312(Q)
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
描述
IGBT 600V 10A 60W TO220SM
零件状态
Obsolete
IGBT类型
-
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
600V
电流 - 集电极(Ic)(最大)
10A
电流 - 集电极脉冲(ICM)
20A
的VCE(on)(最大)Vge的,集成电路
2.7V @ 15V, 10A
功率 - 最大
60W
开关能量
-
输入类型
Standard
栅极电荷
-
TD(开/关)@ 25℃
400ns/400ns
测试条件
300V, 10A, 100 Ohm, 15V
反向恢复时间(trr)
200ns
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商设备封装
TO-220SM

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