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FQE10N20LCTU

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产品型号
FQE10N20LCTU
制造商
ON Semiconductor
描述
MOSFET N-CH 200V 4A TO-126
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
FQE10N20LCTU.pdf
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产品型号
FQE10N20LCTU
制造商
ON Semiconductor
描述
MOSFET N-CH 200V 4A TO-126
零件状态
Obsolete
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
200V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
4A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
5V, 10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
360 mOhm @ 2A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
2V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
19nC @ 5V
VGS(最大)
±20V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
490pF @ 25V
FET特点
-
功率耗散(最大)
12.8W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备封装
TO-126-3
封装/箱体
TO-225AA, TO-126-3

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