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SIRA10BDP-T1-GE3

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产品型号
SIRA10BDP-T1-GE3
制造商
Vishay
描述
MOSFET N-CHAN 30V
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
SIRA10BDP-T1-GE3.pdf
总计:$0.34021
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产品型号
SIRA10BDP-T1-GE3
制造商
Vishay
描述
MOSFET N-CHAN 30V
零件状态
Active
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
30A (Ta), 60A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
4.5V, 10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
3.6 mOhm @ 10A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
2.4V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
36.2nC @ 10V
VGS(最大)
+20V, -16V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
1710pF @ 15V
FET特点
-
功率耗散(最大)
5W (Ta), 43W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
PowerPAK® SO-8
封装/箱体
PowerPAK® SO-8

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