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SQV120N10-3M8_GE3

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产品型号
SQV120N10-3M8_GE3
制造商
Vishay
描述
MOSFET N-CH 100V 120A TO262-3
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
SQV120N10-3M8_GE3.pdf
总计:$2.06940
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产品型号
SQV120N10-3M8_GE3
制造商
Vishay
描述
MOSFET N-CH 100V 120A TO262-3
零件状态
Active
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
120A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
3.8 mOhm @ 20A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
3.5V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
190nC @ 10V
VGS(最大)
±20V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
7230pF @ 25V
FET特点
-
功率耗散(最大)
250W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备封装
TO-262-3
封装/箱体
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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