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SIHA4N80E-GE3

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产品型号
SIHA4N80E-GE3
制造商
Vishay
描述
MOSFET N-CHAN 800V FP TO-220
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
SIHA4N80E-GE3.pdf
总计:$2.42000
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$2.42000

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产品型号
SIHA4N80E-GE3
制造商
Vishay
描述
MOSFET N-CHAN 800V FP TO-220
零件状态
Active
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
800V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
4.3A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
1.27 Ohm @ 2A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
4V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
32nC @ 10V
VGS(最大)
±30V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
622pF @ 100V
FET特点
-
功率耗散(最大)
69W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备封装
TO-220 Full Pack
封装/箱体
TO-220-3 Full Pack

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