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STGB30M65DF2

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产品型号
STGB30M65DF2
制造商
STMicroelectronics
描述
IGBT 650V 30A D2PAK
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
STGB30M65DF2.pdf
总计:$2.10210
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产品型号
STGB30M65DF2
制造商
STMicroelectronics
描述
IGBT 650V 30A D2PAK
零件状态
Active
IGBT类型
Trench Field Stop
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
650V
电流 - 集电极(Ic)(最大)
60A
电流 - 集电极脉冲(ICM)
120A
的VCE(on)(最大)Vge的,集成电路
2V @ 15V, 30A
功率 - 最大
258W
开关能量
300µJ (on), 960µJ (off)
输入类型
Standard
栅极电荷
80nC
TD(开/关)@ 25℃
31.6ns/115ns
测试条件
400V, 30A, 10 Ohm, 15V
反向恢复时间(trr)
140ns
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商设备封装
D2PAK

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