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SI1443EDH-T1-GE3

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产品型号
SI1443EDH-T1-GE3
制造商
Vishay
描述
MOSFET P-CH 30V 4A SOT-363
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
SI1443EDH-T1-GE3.pdf
总计:$0.16852
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产品型号
SI1443EDH-T1-GE3
制造商
Vishay
描述
MOSFET P-CH 30V 4A SOT-363
零件状态
Active
FET型
P-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
4A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
54 mOhm @ 4.3A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
1.5V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
28nC @ 10V
VGS(最大)
±12V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
-
FET特点
-
功率耗散(最大)
1.6W (Ta), 2.8W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
SOT-363
封装/箱体
6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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