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CSD17313Q2Q1T

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产品型号
CSD17313Q2Q1T
制造商
Texas Instruments
描述
MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
CSD17313Q2Q1T.pdf
总计:$0.24320
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产品型号
CSD17313Q2Q1T
制造商
Texas Instruments
描述
MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
零件状态
Not For New Designs
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
5A (Ta)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
3V, 8V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
30 mOhm @ 4A, 8V
VGS(TH)(最大)标识
1.8V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
2.7nC @ 4.5V
VGS(最大)
+10V, -8V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
340pF @ 15V
FET特点
-
功率耗散(最大)
2.4W (Ta), 17W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
6-WSON (2x2)
封装/箱体
6-WDFN Exposed Pad

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