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CSD88537ND

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产品型号
CSD88537ND
制造商
Texas Instruments
描述
MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
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产品型号
CSD88537ND
制造商
Texas Instruments
描述
MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
零件状态
Active
FET型
2 N-Channel (Dual)
FET特点
Standard
漏极至源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
15A
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
15 mOhm @ 8A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
3.6V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
18nC @ 10V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
1400pF @ 30V
功率 - 最大
2.1W
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商设备封装
8-SOIC

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