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MV2N5116

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产品型号
MV2N5116
制造商
Microsemi
描述
P CHANNEL JFET
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
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产品型号
MV2N5116
制造商
Microsemi
描述
P CHANNEL JFET
零件状态
Active
FET型
P-Channel
电压 - 击穿(V(BR)GSS)
30V
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 漏极(的Idss)@的Vds(Vgs = 0时)
25mA @ 15V
当前漏极(Id) - 最大
-
电压 - 截止(VGS关闭)@标识
6V @ 1nA
输入电容(CISS)(最大)的Vds
27pF @ 15V
电阻 - RDS(ON)
100 Ohms
功率 - 最大
500mW
工作温度
-65°C ~ 200°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/箱体
TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供应商设备封装
TO-18 (TO-206AA)

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