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IXFN32N120P

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产品型号
IXFN32N120P
制造商
IXYS Corporation
描述
MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
IXFN32N120P.pdf
总计:$51.76200
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$51.76200

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产品型号
IXFN32N120P
制造商
IXYS Corporation
描述
MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B
零件状态
Active
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
1200V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
32A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
310 mOhm @ 500mA, 10V
VGS(TH)(最大)标识
6.5V @ 1mA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
360nC @ 10V
VGS(最大)
±30V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
21000pF @ 25V
FET特点
-
功率耗散(最大)
1000W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Chassis Mount
供应商设备封装
SOT-227B
封装/箱体
SOT-227-4, miniBLOC

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