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SQJ411EP-T1_GE3

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产品型号
SQJ411EP-T1_GE3
制造商
Vishay
描述
MOSFET P-CH 12V 60A POWERPAKSO-8
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
SQJ411EP-T1_GE3.pdf
总计:$0.63419
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产品型号
SQJ411EP-T1_GE3
制造商
Vishay
描述
MOSFET P-CH 12V 60A POWERPAKSO-8
零件状态
Active
FET型
P-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
12V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
60A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
2.5V, 4.5V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
5.8 mOhm @ 15A, 4.5V
VGS(TH)(最大)标识
1.5V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
150nC @ 4.5V
VGS(最大)
±8V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
9100pF @ 6V
FET特点
-
功率耗散(最大)
68W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
PowerPAK® SO-8
封装/箱体
PowerPAK® SO-8

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