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GT10G131(TE12L,Q)

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产品型号
GT10G131(TE12L,Q)
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
描述
IGBT 400V 1W 8-SOIC
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
GT10G131(TE12L,Q).pdf
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产品型号
GT10G131(TE12L,Q)
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
描述
IGBT 400V 1W 8-SOIC
零件状态
Obsolete
IGBT类型
-
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
400V
电流 - 集电极(Ic)(最大)
-
电流 - 集电极脉冲(ICM)
200A
的VCE(on)(最大)Vge的,集成电路
2.3V @ 4V, 200A
功率 - 最大
1W
开关能量
-
输入类型
Standard
栅极电荷
-
TD(开/关)@ 25℃
3.1µs/2µs
测试条件
-
反向恢复时间(trr)
-
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
供应商设备封装
8-SOP (5.5x6.0)

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