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BSM180D12P3C007

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产品型号
BSM180D12P3C007
制造商
ROHM Semiconductor
描述
SIC POWER MODULE
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
总计:$525.71000
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(以美元)
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$525.71000

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产品型号
BSM180D12P3C007
制造商
ROHM Semiconductor
描述
SIC POWER MODULE
零件状态
Active
FET型
2 N-Channel (Dual)
FET特点
Silicon Carbide (SiC)
漏极至源极电压(Vdss)
1200V (1.2kV)
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
180A (Tc)
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
-
VGS(TH)(最大)标识
5.6V @ 50mA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
-
输入电容(CISS)(最大)的Vds
900pF @ 10V
功率 - 最大
880W
工作温度
175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
Module
供应商设备封装
Module

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