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BSC039N06NSATMA1

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产品型号
BSC039N06NSATMA1
制造商
Infineon Technologies
描述
MOSFET N-CH 60V 19A TDSON-8
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
BSC039N06NSATMA1.pdf
总计:$0.85986
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产品型号
BSC039N06NSATMA1
制造商
Infineon Technologies
描述
MOSFET N-CH 60V 19A TDSON-8
零件状态
Active
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
19A (Ta), 100A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
6V, 10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
3.9 mOhm @ 50A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
2.8V @ 36µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
27nC @ 10V
VGS(最大)
±20V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
2000pF @ 30V
FET特点
-
功率耗散(最大)
2.5W (Ta), 69W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
PG-TDSON-8
封装/箱体
8-PowerTDFN

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