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RS1JL MTG

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产品型号
RS1JL MTG
制造商
Taiwan Semiconductor
描述
DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
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产品型号
RS1JL MTG
制造商
Taiwan Semiconductor
描述
DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA
零件状态
Active
二极管类型
Standard
电压 - (Vr)(最大)
600V
电流 - 平均整流(Io)
800mA
电压 - 正向(Vf)(最大)@如果
1.3V @ 800mA
速度
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢复时间(trr)
250ns
电流 - Vr时反向漏电
5µA @ 600V
电容@ Vr,F时
10pF @ 4V, 1MHz
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
DO-219AB
供应商设备封装
Sub SMA
工作温度 - 结
-55°C ~ 150°C

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