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HGTG30N60B3

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产品型号
HGTG30N60B3
制造商
ON Semiconductor
描述
IGBT 600V 60A 208W TO247
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
HGTG30N60B3.pdf
总计:$5.19000
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产品型号
HGTG30N60B3
制造商
ON Semiconductor
描述
IGBT 600V 60A 208W TO247
零件状态
Active
IGBT类型
-
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
600V
电流 - 集电极(Ic)(最大)
60A
电流 - 集电极脉冲(ICM)
220A
的VCE(on)(最大)Vge的,集成电路
1.9V @ 15V, 30A
功率 - 最大
208W
开关能量
500µJ (on), 680µJ (off)
输入类型
Standard
栅极电荷
170nC
TD(开/关)@ 25℃
36ns/137ns
测试条件
480V, 30A, 3 Ohm, 15V
反向恢复时间(trr)
-
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/箱体
TO-247-3
供应商设备封装
TO-247

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