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TSM680P06DPQ56 RLG

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产品型号
TSM680P06DPQ56 RLG
制造商
Taiwan Semiconductor
描述
MOSFET 2 P-CH 60V 12A 8PDFN
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
TSM680P06DPQ56 RLG.pdf
总计:$0.28971
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产品型号
TSM680P06DPQ56 RLG
制造商
Taiwan Semiconductor
描述
MOSFET 2 P-CH 60V 12A 8PDFN
零件状态
Active
FET型
2 P-Channel (Dual)
FET特点
Standard
漏极至源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
12A (Tc)
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
68 mOhm @ 6A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
2.5V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
16.4nC @ 10V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
870pF @ 30V
功率 - 最大
3.5W
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
8-PowerTDFN
供应商设备封装
8-PDFN (5x6)

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