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2SK3666-3-TB-E

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产品型号
2SK3666-3-TB-E
制造商
ON Semiconductor
描述
JFET N-CH 10MA 200MW 3CP
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
总计:$0.09614
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产品型号
2SK3666-3-TB-E
制造商
ON Semiconductor
描述
JFET N-CH 10MA 200MW 3CP
零件状态
Active
FET型
N-Channel
电压 - 击穿(V(BR)GSS)
-
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 漏极(的Idss)@的Vds(Vgs = 0时)
1.2mA @ 10V
当前漏极(Id) - 最大
10mA
电压 - 截止(VGS关闭)@标识
180mV @ 1µA
输入电容(CISS)(最大)的Vds
4pF @ 10V
电阻 - RDS(ON)
200 Ohms
功率 - 最大
200mW
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商设备封装
3-CP

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