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STL11N65M2

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产品型号
STL11N65M2
制造商
STMicroelectronics
描述
MOSFET N-CH 650V POWERFLAT 5X5 H
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
总计:$1.07535
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$1.07535

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产品型号
STL11N65M2
制造商
STMicroelectronics
描述
MOSFET N-CH 650V POWERFLAT 5X5 H
零件状态
Active
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
650V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
7A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
670 mOhm @ 3.5A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
4V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
12.4nC @ 10V
VGS(最大)
±25V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
410pF @ 100V
FET特点
-
功率耗散(最大)
85W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TA)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
-
封装/箱体
-

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