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FGB7N60UNDF

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产品型号
FGB7N60UNDF
制造商
ON Semiconductor
描述
IGBT 600V 14A 83W D2PAK
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
FGB7N60UNDF.pdf
总计:$1.35056
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产品型号
FGB7N60UNDF
制造商
ON Semiconductor
描述
IGBT 600V 14A 83W D2PAK
零件状态
Active
IGBT类型
NPT
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
600V
电流 - 集电极(Ic)(最大)
14A
电流 - 集电极脉冲(ICM)
21A
的VCE(on)(最大)Vge的,集成电路
2.3V @ 15V, 7A
功率 - 最大
83W
开关能量
99µJ (on), 104µJ (off)
输入类型
Standard
栅极电荷
18nC
TD(开/关)@ 25℃
5.9ns/32.3ns
测试条件
400V, 7A, 10 Ohm, 15V
反向恢复时间(trr)
32.3ns
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商设备封装
TO-263AB (D²PAK)

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