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CSD86356Q5DT

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产品型号
CSD86356Q5DT
制造商
Texas Instruments
描述
SYNCHRONOUS BUCK NEXFET POWER BL
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
CSD86356Q5DT.pdf
总计:$1.89000
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$1.89000

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产品型号
CSD86356Q5DT
制造商
Texas Instruments
描述
SYNCHRONOUS BUCK NEXFET POWER BL
零件状态
Active
FET型
2 N-Channel (Half Bridge)
FET特点
Logic Level Gate, 5V Drive
漏极至源极电压(Vdss)
25V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
40A (Ta)
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
4.5 mOhm @ 20A, 5V, 0.8 mOhm @ 20A, 5V
VGS(TH)(最大)标识
1.85V @ 250µA, 1.5V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
7.9nC @ 4.5V, 19.3nC @ 4.5V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
1.04nF @ 12.5V, 2.51nF @ 12.5V
功率 - 最大
12W (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
8-PowerTDFN
供应商设备封装
8-VSON-CLIP (5x6)

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