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CSD19505KTT

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产品型号
CSD19505KTT
制造商
Texas Instruments
描述
MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK-3
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
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总计:$1.94770
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产品型号
CSD19505KTT
制造商
Texas Instruments
描述
MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK-3
零件状态
Active
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
80V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
200A (Ta)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
6V, 10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
3.1 mOhm @ 100A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
3.2V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
76nC @ 10V
VGS(最大)
±20V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
7920pF @ 40V
FET特点
-
功率耗散(最大)
300W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
DDPAK/TO-263-3
封装/箱体
TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA

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