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FGD3N60LSDTM-T

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产品型号
FGD3N60LSDTM-T
制造商
ON Semiconductor
描述
INTEGRATED CIRCUIT
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
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产品型号
FGD3N60LSDTM-T
制造商
ON Semiconductor
描述
INTEGRATED CIRCUIT
零件状态
Obsolete
IGBT类型
-
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
600V
电流 - 集电极(Ic)(最大)
6A
电流 - 集电极脉冲(ICM)
25A
的VCE(on)(最大)Vge的,集成电路
1.5V @ 10V, 3A
功率 - 最大
40W
开关能量
250µJ (on), 1mJ (off)
输入类型
Standard
栅极电荷
12.5nC
TD(开/关)@ 25℃
40ns/600ns
测试条件
480V, 3A, 470 Ohm, 10V
反向恢复时间(trr)
234ns
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商设备封装
TO-252, (D-Pak)

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