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SI3588DV-T1-GE3

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产品型号
SI3588DV-T1-GE3
制造商
Vishay
描述
MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6-TSOP
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
SI3588DV-T1-GE3.pdf
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产品型号
SI3588DV-T1-GE3
制造商
Vishay
描述
MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6-TSOP
零件状态
Obsolete
FET型
N and P-Channel
FET特点
Logic Level Gate
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
2.5A, 570mA
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
80 mOhm @ 3A, 4.5V
VGS(TH)(最大)标识
450mV @ 250µA (Min)
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
7.5nC @ 4.5V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
-
功率 - 最大
830mW, 83mW
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供应商设备封装
6-TSOP

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