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APT11N80BC3G

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产品型号
APT11N80BC3G
制造商
Microsemi
描述
MOSFET N-CH 800V 11A TO-247
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
总计:$6.05000
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产品型号
APT11N80BC3G
制造商
Microsemi
描述
MOSFET N-CH 800V 11A TO-247
零件状态
Active
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
800V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
11A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
450 mOhm @ 7.1A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
3.9V @ 680µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
60nC @ 10V
VGS(最大)
±20V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
1585pF @ 25V
FET特点
-
功率耗散(最大)
156W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备封装
TO-247 [B]
封装/箱体
TO-247-3

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