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APTC60DDAM35T3G

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产品型号
APTC60DDAM35T3G
制造商
Microsemi
描述
MOSFET 2N-CH 600V 72A SP3
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
总计:$54.01200
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$54.01200

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产品型号
APTC60DDAM35T3G
制造商
Microsemi
描述
MOSFET 2N-CH 600V 72A SP3
零件状态
Active
FET型
2 N-Channel (Dual)
FET特点
Standard
漏极至源极电压(Vdss)
600V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
72A
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
35 mOhm @ 72A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
3.9V @ 5.4mA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
518nC @ 10V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
14000pF @ 25V
功率 - 最大
416W
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Chassis Mount
封装/箱体
SP3
供应商设备封装
SP3

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