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IXFH120N20P

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产品型号
IXFH120N20P
制造商
IXYS Corporation
描述
MOSFET N-CH 200V 120A TO-247
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
IXFH120N20P.pdf
总计:$7.85167
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产品型号
IXFH120N20P
制造商
IXYS Corporation
描述
MOSFET N-CH 200V 120A TO-247
零件状态
Active
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
200V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
120A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
22 mOhm @ 500mA, 10V
VGS(TH)(最大)标识
5V @ 4mA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
152nC @ 10V
VGS(最大)
±20V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
6000pF @ 25V
FET特点
-
功率耗散(最大)
714W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备封装
TO-247AD (IXFH)
封装/箱体
TO-247-3

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