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FGA50N100BNTD2

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产品型号
FGA50N100BNTD2
制造商
ON Semiconductor
描述
IGBT 1000V 50A 156W TO3P
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
FGA50N100BNTD2.pdf
总计:$8.50000
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$8.50000

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产品型号
FGA50N100BNTD2
制造商
ON Semiconductor
描述
IGBT 1000V 50A 156W TO3P
零件状态
Active
IGBT类型
NPT and Trench
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
1000V
电流 - 集电极(Ic)(最大)
50A
电流 - 集电极脉冲(ICM)
200A
的VCE(on)(最大)Vge的,集成电路
2.9V @ 15V, 60A
功率 - 最大
156W
开关能量
-
输入类型
Standard
栅极电荷
257nC
TD(开/关)@ 25℃
34ns/243ns
测试条件
600V, 60A, 10 Ohm, 15V
反向恢复时间(trr)
75ns
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/箱体
TO-3P-3, SC-65-3
供应商设备封装
TO-3P

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