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IKW30N65EL5XKSA1

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产品型号
IKW30N65EL5XKSA1
制造商
Infineon Technologies
描述
IGBT 650V 30A FAST DIODE TO247-3
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
IKW30N65EL5XKSA1.pdf
总计:$5.78000
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产品型号
IKW30N65EL5XKSA1
制造商
Infineon Technologies
描述
IGBT 650V 30A FAST DIODE TO247-3
零件状态
Active
IGBT类型
-
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
650V
电流 - 集电极(Ic)(最大)
85A
电流 - 集电极脉冲(ICM)
120A
的VCE(on)(最大)Vge的,集成电路
1.35V @ 15V, 30A
功率 - 最大
227W
开关能量
470µJ (on), 1.35mJ (off)
输入类型
Standard
栅极电荷
168nC
TD(开/关)@ 25℃
33ns/308ns
测试条件
400V, 30A, 10 Ohm, 15V
反向恢复时间(trr)
100ns
工作温度
-40°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/箱体
TO-247-3
供应商设备封装
PG-TO247-3

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