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IXTU01N100D

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产品型号
IXTU01N100D
制造商
IXYS Corporation
描述
MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-251
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
IXTU01N100D.pdf
总计:$1.20400
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产品型号
IXTU01N100D
制造商
IXYS Corporation
描述
MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-251
零件状态
Active
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
1000V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
100mA (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
0V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
80 Ohm @ 50mA, 0V
VGS(TH)(最大)标识
5V @ 25µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
-
VGS(最大)
±20V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
120pF @ 25V
FET特点
Depletion Mode
功率耗散(最大)
1.1W (Ta), 25W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备封装
TO-251
封装/箱体
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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