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BSO200N03

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产品型号
BSO200N03
制造商
Infineon Technologies
描述
MOSFET 2N-CH 30V 6.6A 8DSO
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
BSO200N03.pdf
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产品型号
BSO200N03
制造商
Infineon Technologies
描述
MOSFET 2N-CH 30V 6.6A 8DSO
零件状态
Obsolete
FET型
2 N-Channel (Dual)
FET特点
Logic Level Gate
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
6.6A
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
20 mOhm @ 7.9A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
2V @ 13µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
8nC @ 5V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
1010pF @ 15V
功率 - 最大
1.4W
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商设备封装
PG-DSO-8

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