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IPD65R600E6BTMA1

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产品型号
IPD65R600E6BTMA1
制造商
Infineon Technologies
描述
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
IPD65R600E6BTMA1.pdf
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产品型号
IPD65R600E6BTMA1
制造商
Infineon Technologies
描述
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3
零件状态
Obsolete
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
650V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
7.3A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
600 mOhm @ 2.1A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
3.5V @ 210µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
23nC @ 10V
VGS(最大)
±20V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
440pF @ 100V
FET特点
-
功率耗散(最大)
63W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
PG-TO252-3
封装/箱体
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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