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FDMD8280

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产品型号
FDMD8280
制造商
ON Semiconductor
描述
MOSFET 2N-CH 80V 11A 6-MLP
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
FDMD8280.pdf
总计:$1.52459
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(以美元)
1pcs
$1.52459

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产品型号
FDMD8280
制造商
ON Semiconductor
描述
MOSFET 2N-CH 80V 11A 6-MLP
零件状态
Active
FET型
2 N-Channel (Dual)
FET特点
Standard
漏极至源极电压(Vdss)
80V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
11A
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
8.2 mOhm @ 11A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
4V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
44nC @ 10V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
3050pF @ 40V
功率 - 最大
1W
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
12-PowerWDFN
供应商设备封装
12-Power3.3x5

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