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IGB03N120H2ATMA1

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产品型号
IGB03N120H2ATMA1
制造商
Infineon Technologies
描述
IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO263-3
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
IGB03N120H2ATMA1.pdf
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产品型号
IGB03N120H2ATMA1
制造商
Infineon Technologies
描述
IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO263-3
零件状态
Not For New Designs
IGBT类型
-
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
1200V
电流 - 集电极(Ic)(最大)
9.6A
电流 - 集电极脉冲(ICM)
9.9A
的VCE(on)(最大)Vge的,集成电路
2.8V @ 15V, 3A
功率 - 最大
62.5W
开关能量
290µJ
输入类型
Standard
栅极电荷
22nC
TD(开/关)@ 25℃
9.2ns/281ns
测试条件
800V, 3A, 82 Ohm, 15V
反向恢复时间(trr)
-
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商设备封装
PG-TO263-3

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