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SI1926DL-T1-GE3

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产品型号
SI1926DL-T1-GE3
制造商
Vishay
描述
MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SOT363
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
SI1926DL-T1-GE3.pdf
总计:$0.16245
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产品型号
SI1926DL-T1-GE3
制造商
Vishay
描述
MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SOT363
零件状态
Active
FET型
2 N-Channel (Dual)
FET特点
Logic Level Gate
漏极至源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
370mA
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
1.4 Ohm @ 340mA, 10V
VGS(TH)(最大)标识
2.5V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
1.4nC @ 10V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
18.5pF @ 30V
功率 - 最大
510mW
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供应商设备封装
SC-70-6 (SOT-363)

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