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FGB40N60SM

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产品型号
FGB40N60SM
制造商
ON Semiconductor
描述
IGBT 600V 80A 349W D2PAK
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
FGB40N60SM.pdf
总计:$2.35690
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产品型号
FGB40N60SM
制造商
ON Semiconductor
描述
IGBT 600V 80A 349W D2PAK
零件状态
Active
IGBT类型
Field Stop
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
600V
电流 - 集电极(Ic)(最大)
80A
电流 - 集电极脉冲(ICM)
120A
的VCE(on)(最大)Vge的,集成电路
2.3V @ 15V, 40A
功率 - 最大
349W
开关能量
870µJ (on), 260µJ (off)
输入类型
Standard
栅极电荷
119nC
TD(开/关)@ 25℃
12ns/92ns
测试条件
400V, 40A, 6 Ohm, 15V
反向恢复时间(trr)
-
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商设备封装
TO-263AB (D²PAK)

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